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Texas Instruments 推出的LMG3522R030RQSR是一款高性能650V 30-M GaN FET功率驱动器模块。它采用半桥逆变器配置，电流最大支持55A，电压最大650V。该模块特别适用于高效率电源转换应用，如电动汽车（EV）、工业电源以及其他高性能电力电子设备。LMG3522R030RQSR具有52-VQFN封装，采用裸焊盘设计，便于表面贴装安装。模块内置GaN FET技术，具有较低的开关损耗和高频开关能力，从而提高了整体系统的效率和可靠性。这使得LMG3522R030RQSR在需要高效能和高可靠性的应用场景中表现尤为出色。此外，模块采用得捷定制卷带包装（Digi-Reel®），方便大规模生产时的自动化组装。
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Texas Instruments LMG3522R030RQSR 产品规格书
发布时间：2025-05-13 10:16:41 
作者：三电文档网